臺積電在先進制程領先的道路上一往無前，計劃3nm技術于2021年進入風險生產、在2022年開始量產，而英特爾的7nm預計最早推出也要到2022年末。

據介紹，相較5nm N5工藝，相同功耗下，臺積電3nm N3性能可提高10-15%;相同性能下，N3功耗可降低25-30%;N3的邏輯密度、SRAM密度、模擬密度分別是N5的1.7倍、1.2倍、1.1倍。

同時，臺積電總裁魏哲家宣布，臺積電已整合旗下包括SoIC、InFO、CoWoS等3D封裝技術平臺，命名為臺積電3D Fabric。

臺積電高級副總裁Kevin Zhang和Y.P. Chin在預先錄制的視頻中提到，臺積電正在其總部旁邊正建設一個專注于2nm芯片研發的新研發中心，擁有8000名工程師，將運營一條先進的生產線，該項目的第一階段將于2021年完成。

作為全球晶圓代工“一號玩家”，從臺積電的分享，我們可以看到全球先進制程最前沿的芯片制造技術風向。

一、5nm今年下半年見，3nm后年量產

在今天的臺積電技術研討會，臺積電介紹了5nm N5、N5P、N4工藝以及3nm N3工藝的PPA優化情況。

據悉，臺積電5nm N5工藝廣泛采用了EUV技術。相較7nm N7工藝，臺積電N5工藝在相同功耗下的性能提高了15%，在相同性能下的功耗降低了30%，邏輯密度為N7的1.8倍。

臺積電還提到，N5的缺陷密度學習曲線比N7快，這意味著5nm工藝將比其上一節點能更快地達到更高的良率。

N5P和N4屬于5nm N5的增強版本。

N5P主要面向高性能應用，計劃在2021年投入使用。與N5相比，同等功耗下，N5P的性能可提高5%;同等性能下，N5P的功耗可降低10%。

由于與N5節點在IP上兼容，因此臺積電的5nm N4工藝可提供直接遷移，性能、功耗和密度均有所增強。臺積電計劃在2021年第四季度開始N4風險生產，目標是在2022年實現大批量生產。

相比5nm N5節點，臺積電3nm N3在相同功耗下的性能可提高10-15%，在相同性能下的功耗可降低25-30%;邏輯密度提高70%，SRAM密度提高20%，模擬密度提高10%。

此外，臺積電還介紹了專為IoT、移動和邊緣設備等低功耗設備而設計的N12e工藝，該工藝是臺積電12 nm FinFET節點的增強版，擁有更低功耗、更高性能，支持超低漏電器件和低至0.4V的超低Vdd設計。

二、英特爾三星“摔跤”，臺積電“緊俏”

近來先進制程的戰場可謂是波瀾起伏，英特爾制程進化再度跳票，三星頻傳良率不過關，唯有臺積電一路喜訊不斷，不僅股價持續飆漲，躍居全球第十大市值公司，還迎來制造出10億顆7nm芯片的新里程碑。

從率先搞定7nm的那一刻起，臺積電就成了整個“地球村”的希望。除了三星、英特爾這種自帶先進制造廠的IDM巨頭，大部分的頭部芯片設計公司都跑到臺積電7nm的門外排起長隊。

原因無他，制程工藝越先進，芯片性能越高、功耗越低，在市場上越有競爭力。

臺積電沖得不僅快，良率還高。2018年有超過50款7nm芯片量產，代工方都是臺積電。2019年，臺積電代工的7nm芯片設計更是超過100種。蘋果、高通、華為、英偉達、AMD、賽靈思、聯發科等芯片巨頭都是臺積電7nm的客戶。

同時，臺積電的7nm N7+工藝是全球第一個在大批量生產中采用EUV的節點，而向后兼容的N6邏輯密度又提高了18%。據臺積電介紹，N6具有與N7相同的缺陷密度。

臺積電2019年年報顯示，這一年，臺積電為499個客戶生產10761種不同的芯片，在半導體制造領域市場占有率達52%。

從2020年上半年全球前大晶圓代工營收來看，臺積電的營收超過2-9名代工營收的總和。